野瀬嘉太郎(のせよしたろう)
研究者番号 : 00375106
Resercher ID

生年月日など 昭和50年(1975年)9月16日 おとめ座 O型
出身地 愛知県名古屋市
略歴 学歴
昭和59(1984)年3月 名古屋市立緑小学校卒 業
平成3(1991)年3月 名古 屋市立鳴海中学校卒業
平成6(1994)年3月 愛知県立旭丘高等学校卒業
平成10(1998)年3月 京都大学 工学部物理工学科 卒業
平成12(2000)年3月 京都大学大学院 工学研究科材料工学専攻修士課程 修了
平成16(2004)年5月 大阪大学大学院工学研究科マテリアル科学専攻(現 マテリアル生産科学専攻)博士後期課程 単位認定退学

職歴
平成16(2004)年 6月 東北大学金属材料研究所  助手
平成19(2007)年3月 京都大学大学院工学研究科材料工学専攻助手(後に、助教に名称変更)
平成21年(2009)年10月 科学技術振興機構(JST)さきがけ研究員(兼任、平成25年3月まで)
平成25(2013)年4月 京都大学大学院工学研究科材料工学専攻 准教授、現在に至る
学位 大阪大学 博士(工学)(2005)
  
「Diffusion in L12- and L10-ordered alloys in Fe-Pt system
専門分野 拡散、太陽電池、結晶成長
所属学協会 (一社)資源素材学会 (社)日本金属学会 (社)応用物理学会
趣味 ゴルフ、スポーツ観戦、飲み会
主な研究 1.'Fabrication of ZnSnP2 thin films by phosphidation',
S. Nakatsuka, Y. Nose & T. Uda; Thin Solid Films , vol.589, (2015)pp.66-71.

2.'Electrochemical deposition of Zn3P2 thin film semiconductors based on potential-pH diagram of the Zn-P-H2O system',
Y. Nose K. Hosokawa, T. Uda & Y. Awakura; J. Electrochem. Soc. , vol.159, (2012)pp.D181-D186.

3.'Floating cast method to realize high-quality Si bulk multicrystals for solar cells',
Y. Nose, I. Takahashi, W. Pan, N. Usami, K. Fujiwara & K.Nakajima; J. Cryst.Growth , vol.311, (2009)pp.228-231.

4.'Impurity diffusion ing-TiAl single crystals',
Y. Nose, N. Terashita, T. Ikeda & H.Nakajima; Acta Mater. , vol.62, no.9 (2006)pp.796-802.

5.'Re-examination of the phase diagram of Fe-Pt system',
Y. Nose, A. Kushida, T. Ikeda, H. Nakajima, K.Tanaka, H. Numakura ; Materials Transactions, vol.44 (2003), pp.2723-2731.

受賞 2002  International conference on Designing of Interfacial Structures in Advanced Materials and their Joints ポスター賞
『Tracer and Chemical Diffusion in Fe-Pt Ordered Alloys』

2002  Symposium BB in 2002 MRS Fall Meeting ポスター賞
『Fe tracer diffusion in L10 ordered FePt』

2006  第19回 応用物理学会 講演奨励賞
『新成長法「核形成制御キャスト成長法」による太陽電池用Siバルク結晶の成長』

2011  第36回 資源・素材学会 奨励賞
講義 (2017) 1回生 物理工学総論A (分担)
2回生 材料科学基礎1 (分担)
3回生 構造物性学 (分担)
大学院 凝固・結晶成長学 (分担)



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