生年月日など | 昭和50年(1975年)9月16日 おとめ座 O型 | |
出身地 | 愛知県名古屋市 | |
略歴 | 学歴 昭和59(1984)年3月 名古屋市立緑小学校卒 業 平成3(1991)年3月 名古 屋市立鳴海中学校卒業 平成6(1994)年3月 愛知県立旭丘高等学校卒業 平成10(1998)年3月 京都大学 工学部物理工学科 卒業 平成12(2000)年3月 京都大学大学院 工学研究科材料工学専攻修士課程 修了 平成16(2004)年5月 大阪大学大学院工学研究科マテリアル科学専攻(現 マテリアル生産科学専攻)博士後期課程 単位認定退学 職歴 平成16(2004)年 6月 東北大学金属材料研究所 助手 平成19(2007)年3月 京都大学大学院工学研究科材料工学専攻助手(後に、助教に名称変更) 平成21年(2009)年10月 科学技術振興機構(JST)さきがけ研究員(兼任、平成25年3月まで) 平成25(2013)年4月 京都大学大学院工学研究科材料工学専攻 准教授、現在に至る |
|
学位 | 大阪大学 博士(工学)(2005) 「Diffusion in L12- and L10-ordered alloys in Fe-Pt system」 |
|
専門分野 | 拡散、太陽電池、結晶成長 | |
所属学協会 | (一社)資源素材学会 (社)日本金属学会 (社)応用物理学会 | |
趣味 | ゴルフ、スポーツ観戦、飲み会 | |
主な研究 |
1.'Fabrication of ZnSnP2 thin films by phosphidation', S. Nakatsuka, Y. Nose & T. Uda; Thin Solid Films , vol.589, (2015)pp.66-71. 2.'Electrochemical deposition of Zn3P2 thin film semiconductors based on potential-pH diagram of the Zn-P-H2O system', Y. Nose K. Hosokawa, T. Uda & Y. Awakura; J. Electrochem. Soc. , vol.159, (2012)pp.D181-D186. 3.'Floating cast method to realize high-quality Si bulk multicrystals for solar cells', Y. Nose, I. Takahashi, W. Pan, N. Usami, K. Fujiwara & K.Nakajima; J. Cryst.Growth , vol.311, (2009)pp.228-231. 4.'Impurity diffusion ing-TiAl single crystals', Y. Nose, N. Terashita, T. Ikeda & H.Nakajima; Acta Mater. , vol.62, no.9 (2006)pp.796-802. 5.'Re-examination of the phase diagram of Fe-Pt system', Y. Nose, A. Kushida, T. Ikeda, H. Nakajima, K.Tanaka, H. Numakura ; Materials Transactions, vol.44 (2003), pp.2723-2731. |
|
受賞 | 2002 International
conference on Designing of Interfacial Structures in
Advanced Materials and their Joints ポスター賞 『Tracer and Chemical Diffusion in Fe-Pt Ordered Alloys』 2002 Symposium BB in 2002 MRS Fall Meeting ポスター賞 『Fe tracer diffusion in L10 ordered FePt』 2006 第19回 応用物理学会 講演奨励賞 『新成長法「核形成制御キャスト成長法」による太陽電池用Siバルク結晶の成長』 2011 第36回 資源・素材学会 奨励賞 |
|
講義 (2017) | 1回生 物理工学総論A (分担) 2回生 材料科学基礎1 (分担) 3回生 構造物性学 (分担) 大学院 凝固・結晶成長学 (分担) |